T of Semi-Terms

Taylor series, 69, 113, 162, 314, 565, 823

테일러 급수(Taylor series)

temperature dependence of the bandgap, 63–4

밴드 갭의 온도에 대한 의존성

thermal energy, 10

열 에너지

thermal equilibrium, 10–12

열 평형상태

Auger generation and recombination, 91–2

오제(Auger) 생성 및 재결합

band-to-band optical generation and recombination, 89–91

밴드 간 광적 생성 및 재결합

principle of detailed balance, 88–9

세부적 균형에 관한 원리

trap-assisted thermal generation and recombination, 92–6

트랩의 도움에 의한(trap-assisted) 열적 생성 및 재결합

thermal motion

열 에너지에 의한 캐리어 모션(thermal motion)

scattering, 133–6

산란(스케터링, scattering)

and thermal energy, 9–10

그리고 열 에너지

thermal velocity, 132–3

열 에너지에 의한 캐리어 속도(thermal velocity)

thermal voltage, 149

열 전압(thermal voltage)

thermionic emission model, Schottky diode

쇼키(Schottky) 다이오드 열전자 방출 모델

Bethe condition, 397

Bethe(베테) 조건(상태)

electron concentration, 391–3

전자 농도

electron velocity distribution, 393

전자 속도 분포

forward bias, 390

순방향 바이어스

hemi–Maxwellian distribution, 391, 392

헤미-맥스웰(Hemi–Maxwellian) 분포

hole quasi-Fermi level, 398

정공의 가상적(준) 페르미 레벨(준위)

net diode current, 393

내부(net) 다이오드 전류

PtSi/n-Si junction, 394–6

PtSi/n-Si 접합

quasi-equilibrium approximation, 391

가상적(준) 평형 상태 근사

quasi-equilibrium assumption, 397

가상적(준) 평형 상태 가정

Richardson constant, 393

리챠드슨(Richardson) 상수

saturation current, 394

포화 전류

three-dimensional MOSFET, 691

3차원 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

threshold, MOS structure

MOS 구조의 문턱 전압

carrier concentration, 458

캐리어 농도

definition, 453, 458

정의

electric field, 458

전계

electrostatic potential, 458

정전위

energy band diagram, 457, 458

에너지 밴드 모식도

voltage, 458, 459, 460

전압

volume charge density, 458

부피 전하 밀도(단위 부피당 전하량)

threshold voltage roll off, 629

문턱 전압(threshold voltage)의 급격한 감쇠(roll off)

transconductance

전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)

back, 579

벡(back,역)

definition, 565

정의

extrinsic, 593

외인적

intrinsic, 593

순수(본질적)

and output conductance, 593

그리고 출력 전도성

transistor–transistor logic (TTL), 821

트랜지스터-트랜지스터 로직(TTL)

transit time, 151–3, 235–6

천이 시간(transit time)

transmission-line equivalent circuit model, for ohmic contacts, 411–14

저항성 접촉(ohmic contact)에 대한 전송선(transmission-line) 등가 회로 모델

transparent region, PN diode, 335

PN 다이오드의 투명 영역

trap-assisted thermal generation and recombination, 85–8

트랩의 도움에 의한(trap-assisted) 열적 캐리어 생성 및 재결합

capture and emission coefficients, 94

포획 및 방출 계수

capture of electrons, 93

전자 포획

electron capture coefficient, 93

전자 포획 계수

electron emission, 93

전자 방출

electron emission coefficient, 93

전자 방출 계수

hole capture, 93

정공 포획

hole emission, 93

정공 방출

Maxwell–Boltzmann statistics, 92

맥스웰-볼츠만(Maxwell–Boltzmann) 통계

n-type semiconductor, 95

n형 반도체

Si microelectronic devices, 92

실리콘(Si) 마이크로(미세) 전자 소자

Trigate MOSFET, 691

게이트가 채널의 3면을 둘러싼 MOSFET

tunneling, 6, 84, 87, 330, 409

터널링

turn-off transient, 110–11

꺼지는 과도기(turn-off transient)

turn-on transient, 110

켜지는 과도기(turn-on transient)