S of Semi-Terms

saturated drift velocity, 139

포화된 표동 속도

scattering, 133–6

산란

scattering time, 135

산란 시간

Schottky barrier height, 378–80

쇼키(Schottky) 장벽 높이

Schottky diode, 354

쇼키(Schottky) 다이오드

assumptions, 371

가정

bipolar process, 406

바이폴라 공정(양극성 소자 공정)

breakdown voltage, 404, 405

붕괴 전압

charge–voltage characteristics, 399–400

전하-전압 특성

for circuit CAD, 423

회로 CAD를 위한

circuit symbol, 371

회로 심벌(기호)

CMOS process, 406

CMOS 공정

conduction band diagram, in forward bias,

순방향 바이어스 하에서의 컨덕션 밴드(전도 밴드, 전도대) 모식도

391, 392

cost considerations, 405

비용에 대한 고려사항

current–voltage characteristics

전류-전압(I-V) 특성

drift-diffusion model, 390

표동-확산 모델

electron flow, 388, 389

전자의 흐름

electrostatics under bias, 384–7

바이어스 하에서의 정전계

majority and minority carrier, 387

다수 및 소수 캐리어

thermionic emission model, 390–9

열 이온성(열전자) 방출 모델

equivalent circuit model, 400–1, 423–4

등가 회로 모델

GaN Schottky diode, 401, 402

GaN 쇼키 다이오드

integrated, 369, 370

집적

  1. PN diode, 369

PN 다이오드

schematic representation, 370, 371

도식적 표현

Schottky metal selection, 407

쇼키(Schottky) 다이오드의 금속 선택

series resistance, 401, 403

직렬 저항

switching characteristics, 424–7

스위칭 특성

switch-off transients, 425–7

스위치-오프(꺼지는) 과도기

switch-on transients, 425–7

스위치-온(켜지는) 과도기

in thermal equilibrium

열 평형 상태에서

metal–metal junction, 372–6

금속-금속 접합

metal–semiconductor junction, 376–84

금속-반도체 접합

Schottky–Mott relation, 378

쇼키-모트(Schottky-Mott) 관계

selectively implanted collector (SIC), 793

선택적 이온주입으로 형성된 콜렉터 (SIC)

self-aligned silicided n-channel MOSFET, 683–4

자가 형성된 실리사이드를 갖는 n-채널(전자를 주된 캐리어로 하는) MOSFET

semiconductor bar under voltage, 212–14

전압이 인가된 하에서의 반도체 바(bar)

semiconductor capacitance, 467

반도체 커패시턴스

semiconductor surface

반도체 표면

ideal surface, 436

이상적인 표면

semiconductor bonding, 436, 438

반도체 결합

surface contamination, 437

표면 오염

surface passivation, 438, 439

표면 안정화(passivation, 패시베이션)

surface reconstruction, 437

표면 재구성

virtual crystal, 436

가상 결정

series resistance

직렬 저항

PN diode

PN 다이오드

equivalent circuit models, 327

등가 회로 모델

IV characteristics, 326

전류-전압(I-V) 특성

ohmic contact resistance, 327

저항성 접촉 저항

total resistance, 328

총 저항

of Schottky diode, 401, 403

쇼키 다이오드

shallow levels, 86

얇은 레벨

shallow trench isolation (STI), 532, 821

얇은 트렌치(trench, 도랑)을 이용한 소자 격리 (STI)

sheet carrier concentration, 538

시트(sheet) 캐리어 농도

sheet-charge approximation (SCA), 456, 461, 463, 516, 539, 596

시트 전하 근사 (SCA)

sheet-charge density, 539

시트(sheet) 전하 밀도

sheet electron concentration, 596

시트(sheet) 전자 농도

Shockley equations

쇼클리(Shockley) 방정식

Gauss’ law, 202–3

가우스의 법칙(Gauss’law)

one-dimensional quasi-neutral solutions, 205–9

1차원 가상적 중성(준중성) 해(solution)

voltage, 203–4

전압

Shockley–Read–Hall model

쇼클리-리드-홀 모델

generation lifetime, 122–3

생성 라이프타임(lifetime)

high-level injection, 123–5

높은 수준(high-level) 주입

net recombination rate, 119

내부 재결합율(률)

recombination lifetime, 120–2

재결합 라이프타임(lifetime)

trap concentration, 119

트랩 농도

trap location, 119

트랩의 위치

short-channel MOSFET

짧은 채널을 갖는 MSOFET

electron transport

전자 수송

mobility degradation, 614–20

캐리어 이동도 열화

velocity saturation, 620–7

속도 포화

electrostatics, 627

정전계

drain-induced barrier lowering, 632–6

드레인 전압에 의한 장벽 감쇄 현상 (DIBL)

gate capacitance, 638–44

게이트 커패시턴스

gate leakage current, 644–6

게이트 누설 전류

subthreshold swing and threshold voltage evolution, 628

서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)과 문턱 전압 변화

subthreshold swing dependence on gate length and VDS, 636–8

서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)의 게이트 길이와 드레인 전압에 대한 의존성

threshold voltage dependence on gate length, 628–32

문턱 전압의 게이트 길이에 대한 의존성

short-circuit current-gain cut-off frequency (fT)

단락회로(short-circuit)에 대한 전류이득(current gain)의 차단 주파수(cut-off frequency)

BJT, 737–46, 778–80

BJT (양극성 접합 트랜지스터)

MOSFET

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

bias dependence, 569

바이어스 의존성

Bode plot, 569

보드(Bode) 선도

circuit configuration, 567, 568

회로 구성

delay time, 570

지연 시간

drain current, 570

드레인 전류

gate and drain currents, 568

게이트와 드레인의 전류

transit time, 570–1

천이 시간(transit time)

short PN diode

숏 PN 다이오드

energy band diagram, 323

에너지 밴드 모식도

minority carrier profiles, 320–1

소수 캐리어 프로파일

saturation current, 321

포화 전류

total stored charge in, 322

총 축적 전하량

Si

실리콘(Si)

bandgap narrowing vs. doping level, 825–6

밴드 갭 얇아짐과 도핑 레벨(농도)와의 상관관계

bandgap vs. temperature, 825

밴드 갭과 온도의 상관관계

carrier lifetime vs. doping level, 826

캐리어 라이프타임(lifetime)과 도핑 레벨(농도)와의 상관관계

drift velocity vs. electric field, 827–8

표동 속도와 전계의 상관관계

impact ionization coefficients vs. electric field, 827

임펙트(Impact) 이온화 계수와 전계와의 상관관계

inversion layer mobility vs. effective electric field, 827

반전 영역에서의 이동도와 유효 전계와의 상관관계

microelectronic devices, 92

마이크로(미세) 전자 소자

mobility vs. doping level, 826

이동도와 도핑 레벨(농도)와의 상관관계

Si surface and MOS structure see metal–oxide–semiconductor(MOS) structure

실리콘 표면과 MOS 구조

value of, 819

값(가치)

silicon-on-insulator (SOI), 686, 821

실리콘 온 인슐레이터(SOI, 절연층 위에 실리콘층이 형성된 구조)

small-signal equivalent circuit model

소신호 등가 회로 모델

ideal BJT, 736–7

이상적인 BJT

MOSFET, 566

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

back transconductance, 565

벡(back) 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)

DC bias situation, 564, 565

직류 바이어스 상황

output conductance, 565, 566, 593

출력 전도성

saturation regime, 567

포화 동작 영역

small-signal situation, 564, 565

소신호 상황

transconductance, 565, 593

전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)

parasitic resistance, 781

기생 저항

PN diode, 319

PN 다이오드

Schottky diode, 400

쇼키(Schottky) 다이오드

solid-state physics, 17–19

고체 물리

bonds and bands, 19–21

결합과 밴드

density of states, 23–4

상태 밀도(DOS)

lattice vibrations, 24–6

격자의 진동

metals, insulators and semiconductors, 21–3

금속, 부도체 및 반도체

space-charge and high-resistivity regions

높은 저항성을 띠는 공간 전하 영역

dielectric relaxation time, 237

유전체 이완 시간

drift under external electric field, 238–41

외부에서 걸어주는 전계 하에서의 표동

equation set, 238

방정식 모음

SCR vs. QNR transport, 241–5

SCR과 QNR 각각에서의 수송 간의 상관관계

space-charge generation and recombination, PN diode

공간 전하 영역에서의 생성과 재결합, PN 다이오드

ideality factor, 325

이상성 요소

IV characteristics, 322–4

전류-전압(I-V) 특성

SCR saturation current, 325

공간 전하 영역에서의 포화 전류

space-charge regions (SCRs), 237, 821

공간 전하 영역

  1. QNR, 241–3

가상적(준) 중성 영역(Quasi Neutral Region, QNR) 대비

Shockley equations, 238

쇼클리(Shockley) 방정식

speed of light in vacuum, 817

진공에서의 빛의 속도

static power, 669

정적 전력

static random access memory (SRAM), 821

정적 램 (SRAM, 정적 임의접근기억장치)

statistical mechanics

통계 역학

electron statistics, 12–17

전자 통계

thermal equilibrium, 10–12

열 평형상태

thermal motion and thermal energy, 9–10

열 에너지에 의한 캐리어 모션(thermal motion)과 열 에너지

strained n-channel and p-channel MOSFET, 687–8

전자 혹은 정공을 주된 캐리어로 하는 채널 물질의 격자 구조가 이완 혹은 수축된 MSOFET

subthreshold current, 476, 586, 588, 589, 598

서브스레쉬홀드 전류

subthreshold swing, 478, 496–8, 589, 590

서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)

dependence on gate length and VDS, 636–8

게이트 길이와 드레인 전압에 대한 의존성

and threshold voltage evolution, 628

그리고 문턱 전압 변화

super-steep retrograde (SSR) body doping, 685

바디(몸체)의 급격한 역행 도핑 (SSR)

surface continuity equations

면에 대한 연속 방정식

boundary condition, 196–8

경계 조건

free surface, 196–8

자유 (표)면

ohmic contact, 198–202

저항성 접촉

surface generation and recombination, 115–17

표면 생성 및 재결합

surface generation velocity, 117

표면 생성 속도

surface neutrality level, 486, 487

표면 전하 중성 레벨(준위)

surface passivation, 438, 439

표면 안정화(passivation, 패시베이션)

surface potential, 446, 449, 451, 455

표면 전위

in accumulation, 456

축적 상태에서

in inversion, 462

반전 상태에서

  1. semiconductor charge, 463

반도체 전하 대비

at threshold, 458, 459

문턱 전압 에서

  1. voltage, 463

전압 대비

surface recombination velocity, 116

표면 재결합 속도

surface reconstruction, 437

표면 재구성

surface roughness scattering, 135

표면 러프니스(roughness) 산란

surface states, 437

표면 상태

acceptor states, 486, 487

억셉터 상태

charge neutrality level, 489

전하 중성 레벨(준위)

definition, 486

정의

donor states, 486, 487

도너 상태

Fermi level pinning, 487, 488

페리미 레벨(준위) 고정(잠김)

surface neutrality level, 486, 487

표면 전하 중성 레벨(준위)

thermal equilibrium, band structure in, 488

열 평형상태에서의 밴드 구조

switching

스위칭

characteristics, PN junction diode

PN 접합 다이오드의 특성

internal and external currents, 356, 357

내부와 외부의 전류

minority carrier recombination, 354–6

소수 캐리어 재결합

parameters for CAD, 354

CAD에 사용되는 매개변수

reverse recovery time, 355

역방향 회복 시간

in SPICE, 357–8

SPICE에서

switch-off transient, 354, 355

스위치-오프(꺼지는) 과도기

delay, 669

지연

energy, 669

에너지

of MOSFET, 667–9

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)