quantum mechanics
양자 역학
dual nature of the electron, 5–7
전자의 이중성
dual nature of the photon, 1–5
광자(photon)의 이중성
electrons in confined environments, 7–9
구속된 환경에서의 전자
quantum numbers, 7
양자 수
quantum states, 8
양자 상태
quasi-equilibrium, 11
가상적(준) 평형 상태
quasi-Fermi levels and quasi-equilibrium
가상적(준) 페르미 레벨(준위)와 가상적(준) 평형상태
conduction and valence bands, 170
컨덕션 및 벨런스 밴드(전도 및 결합 밴드)
current relationship, 171
전류 관계
current visualization, 172
전류 가시화
definition, 168
정의
electron current, 171
전자 전류
electron mobility, 173
전자 이동도
energy band diagrams, 169
에너지 밴드 모식도
high-level injection conditions, 169
높은 수준(high-level) 주입(injection) 상태(조건)
kinetic energy, 175
운동 에너지
Maxwellian distribution, 174
맥스웰 분포
np product, 169
전자와 정공 농도의 곱(np)
recombination dynamics, 175
재결합 역학
thermalization, 174
열 평형화(thermalization)
uniformly doped n-type semiconductor, 172
균일하게 도핑된 n형(n-type) 반도체
valence band, 173
벨런스 밴드(결합 밴드)
quasi-neutral base, 741
가상적(quasi, 준) 중성상태의 베이스
quasi-neutral emitter, 741
가상적(quasi, 준) 중성상태의 에미터
quasi-neutrality, 109, 249
가상적(quasi, 준) 중성상태
quasi-neutral low-level injection
가상적(quasi, 준) 중성상태에서의 낮은 수준(low level)의 주입(injection)
Auger-like inverse-square dependence, 104
오제(Auger)와 비슷한 역 제곱 의존성
excess electron concentration, 100
과잉 전자 농도
excess hole concentration, 100
과잉 정공 농도
high-level injection, 101
높은 수준(high-level) 주입
low-level injection regime, 101
낮은 수준(low level)의 주입(injection) 동작 영역
midgap traps, 103, 104
미드 갭(midgap, 밴드 갭 중간 정도 에너지 준위의) 트랩(trap, 참호)
n-type semiconductor, 103, 104
n형 반도체
recombination lifetime, 102, 103
재결합 라이프타임(lifetime)
trap-assisted process, 103
트랩의 도움을 받은(trap-assisted) 프로세스(process, 과정)
ultrapure material, 105
매우 순도 높은 물질
quasi-neutral regions (QNRs), 821
가상적(준) 중성 영역(Quasi Neutral Region, QNR)
characterization, 237
특성화/특성분석
- SCR, 241–3
공간 전하 영역(Space Charge Region, SCR)
quasi-neutral situations, 163–5
가상적(준) 중성 상태(상황)
quasi-saturation, 778
가상적(준) 포화 상태
quasi-static C–V characteristics, MOS structure, 465
MOS 구조의 가상적(준) 정전계에서의 커패시턴스-전압(C-V) 특성
circuit schematics, 466
회로도
Debye length, 467
드바이(Debye) 길이(length)
definition, 466
정의
depletion, 468
공핍(depletion, 디플리션)
flatband, 468
플렛 밴드 (flatband,반도체 측 밴드가 평평한 상태)
inversion, 468
반전
semiconductor capacitance, 467, 468, 469
반도체 커패시턴스(capacitance)
strong accumulation, 467
과도한 축적
