quantum mechanics

양자 역학

dual nature of the electron, 5–7

전자의 이중성

dual nature of the photon, 1–5

광자(photon)의 이중성

electrons in confined environments, 7–9

구속된 환경에서의 전자

quantum numbers, 7

양자 수

quantum states, 8

양자 상태

quasi-equilibrium, 11

가상적(준) 평형 상태

quasi-Fermi levels and quasi-equilibrium

가상적(준) 페르미 레벨(준위)와 가상적(준) 평형상태

conduction and valence bands, 170

컨덕션 및 벨런스 밴드(전도 및 결합 밴드)

current relationship, 171

전류 관계

current visualization, 172

전류 가시화

definition, 168

정의

electron current, 171

전자 전류

electron mobility, 173

전자 이동도

energy band diagrams, 169

에너지 밴드 모식도

high-level injection conditions, 169

높은 수준(high-level) 주입(injection) 상태(조건)

kinetic energy, 175

운동 에너지

Maxwellian distribution, 174

맥스웰 분포

np product, 169

전자와 정공 농도의 곱(np)

recombination dynamics, 175

재결합 역학

thermalization, 174

열 평형화(thermalization)

uniformly doped n-type semiconductor, 172

균일하게 도핑된 n형(n-type) 반도체

valence band, 173

벨런스 밴드(결합 밴드)

quasi-neutral base, 741

가상적(quasi, 준) 중성상태의 베이스

quasi-neutral emitter, 741

가상적(quasi, 준) 중성상태의 에미터

quasi-neutrality, 109, 249

가상적(quasi, 준) 중성상태

quasi-neutral low-level injection

가상적(quasi, 준) 중성상태에서의 낮은 수준(low level)의 주입(injection)

Auger-like inverse-square dependence, 104

오제(Auger)와 비슷한 역 제곱 의존성

excess electron concentration, 100

과잉 전자 농도

excess hole concentration, 100

과잉 정공 농도

high-level injection, 101

높은 수준(high-level) 주입

low-level injection regime, 101

낮은 수준(low level)의 주입(injection) 동작 영역

midgap traps, 103, 104

미드 갭(midgap, 밴드 갭 중간 정도 에너지 준위의) 트랩(trap, 참호)

n-type semiconductor, 103, 104

n형 반도체

recombination lifetime, 102, 103

재결합 라이프타임(lifetime)

trap-assisted process, 103

트랩의 도움을 받은(trap-assisted) 프로세스(process, 과정)

ultrapure material, 105

매우 순도 높은 물질

quasi-neutral regions (QNRs), 821

가상적(준) 중성 영역(Quasi Neutral Region, QNR)

characterization, 237

특성화/특성분석

1. SCR, 241–3

공간 전하 영역(Space Charge Region, SCR)

quasi-neutral situations, 163–5

가상적(준) 중성 상태(상황)

quasi-saturation, 778

가상적(준) 포화 상태

quasi-static C–V characteristics, MOS structure, 465

MOS 구조의 가상적(준) 정전계에서의 커패시턴스-전압(C-V) 특성

circuit schematics, 466

회로도

Debye length, 467

드바이(Debye) 길이(length)

definition, 466

정의

depletion, 468

공핍(depletion, 디플리션)

flatband, 468

플렛 밴드 (flatband,반도체 측 밴드가 평평한 상태)

inversion, 468

반전

semiconductor capacitance, 467, 468, 469

반도체 커패시턴스(capacitance)

strong accumulation, 467

과도한 축적