N of Semi-Terms

negative-bias temperature stress (NBTS) 493

음의 바이어스와 온도로 인한 스트레스(NBTS)

negative flatband voltage shift, 490

플렛밴드 전압의 음의 방향으로의 이동

net recombination rate, 97

내부 재결합율(률)

neutral impurity scattering, 134

중성 불순물에 의한 산란

nonideal effects, BJT

BJT의 비이상적 효과(현상)

base-width modulation

베이스 폭 변조(변형)

Early effect, 747–52

얼리(Early) 현상(효과)

reverse Early effect, 752–5

역 얼리(Early) 현상(효과)

breakdown voltage

붕괴 전압

avalanche breakdown, 760–5, 767–9

아발란체 붕괴 현상

punchthrough breakdown, 765–9

펀치스루에 의한 붕괴 현상

emitter-base space-charge region recombination, 755–6

에미터-베이스 공간전하 영역에서의 재결합

high collector current effects

높은 콜렉터 전류 효과

base–collector junction, 770–5

베이스-콜렉터 접합

βF, impact on, 775–8

βF(BJT의 전류이득)에 미치는 영향

fT, impact on, 778–80

fT(단락회로에 대한 전류이득의 차단 주파수)에 미치는 영향

impact ionization, 756–9

임펙트(Impact) 이온화

nonuniform doping levels

불균일 도핑 레벨

and device simulation tools, 787

그리고 소자 시뮬레이션 툴(도구)

integrated charge, 788

베이스 및 에미터의 도핑 농도의 적분으로 얻어지는 전하량

quasi-neutral emitter, 789

가상적(quasi, 준) 중성상태의 에미터

two-dimensional computer-aided process, 787

2차원 컴퓨터 기반의 프로세스

parasitic resistance, 780–7

기생 저항

nonideal effects, MOSFET

MOSFET에서의 비이상적 현상(효과)들

back bias, effect of, 576

벡 바이어스 효과

equivalent circuit models, 579, 580

등가 회로 모델

ideal IV characteristics, 578

이상적인 전류-전압(I-V) 특성

nonideal effects, MOSFET (continued)

MOSFET에서의 비이상적 현상(효과)들

output characteristics, 578, 579

출력 특성

transfer characteristics, 577, 578

전달 특성

body effect, 571

몸체 효과(body effect)

body-effect coefficient, 576

몸체 효과(body effect) 계수

deleterious effect, 575

유해한 영향

drain current, 573, 574, 575, 576

드레인 전류

drain-to-source voltage, 575

드레인-소스 전압

gate overdrive, 572, 573

게이트 오버드라이브(과도한 바이어스 인가)

impact of, 575

임펙트

output characteristics, 576, 577

출력 특성

channel-length modulation

채널 길이 변조(변형)

channel debiasing, 580

채널 바이어스 제거하기

channel voltage, 582

채널 전압

electron velocity, 581, 582

전자 속도

impact of, 584

임펙트

inversion layer charge density, 582

반전 층에서의 전하 밀도

lateral electric field, 581, 582

측면 전계

output characteristics, 583

출력 특성

output conductance, 584, 585

출력 전도성

parameter, 583

매개변수

pinch-off region, 581, 582

핀치-오프(pinch-off) 영역

source and drain resistance

소스와 드레인 저항(성)

consequence, 590

결과

extrinsic transconductance, 593

외인적(비순수) 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)

internal voltages, 590, 591

내부 전압

intrinsic transconductance, 593

순수 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)

ohmic drop, 591

저항 강하(저항 양단에 발생하는 전압 강하)

output characteristics, 591, 592

출력 특성

ON resistance, 592

온 저항

small-signal equivalent circuit model, 593

소신호 등가 회로 모델

total resistance, 592

총 저항

subthreshold regime

서브스레쉬홀드 동작영역(subthreshold regime)

conduction band edge, 587

컨덕션 밴드(전도 밴드, 전도대) 초소점

depletion region, 587

공핍(드플리션) 영역

drain current vs. gate–source voltage, 586

드레인 전류와 게이트-소스 전압의 상관관계

electron diffusion, 588

전자의 확산

ideality factor, 588

이상성 요소(ideality factor)

output IV characteristics, 584, 585

출력 전류-전압(I-V) 특성

subthreshold characteristics, 589

서브스레쉬홀드 특성

subthreshold swing, 589, 590

서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)

nonideal effects, MOS structure

비이상적 효과, MOS 구조

interface states

계면 상태

acceptor-type, 494, 495, 497

억셉터형

CV characteristics, 495

C-V(커패시턴스-전압) 특성

definition, 493

정의

donor-type, 494, 495, 497

도너형

evolution of charge, 494

전하량의 변화

Fermi level, 494

페리미 레벨(준위)

quasi-static equivalent circuit model, 496

가상적(준) 정전계에서의 등가 회로 모델

subthreshold swing, 496, 497

서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)

oxide charge, 489

옥사이드 내 전하(oxide charge)

electric field, 490, 491

전계

electrostatic potential, 490, 491

정전위

energy band diagram, 490, 491

에너지 밴드 모식도

Gauss theorem, 490

가우스(Gauss) 정리

high-frequency CV characteristics, 492, 493

고주파 C-V(커패시턴스-전압) 특성

negative flatband voltage shift, 490

플렛밴드 전압의 음의 방향으로의 이동

volume charge density, 490, 491

부피 전하 밀도(단위 부피당 전하량)

nonidealities and second-order effects, PN diode

비이상성 및 2차 효과, PN 다이오드

breakdown voltage, 328–30, 331

붕괴 전압

high-level injection effects, 337–40, 339

높은 수준(high-level) 주입 효과

nonuniform doping distributions, 331–7

불균일한 도핑 분포

series resistance, 326–8

직렬 저항

short diode, 320–2

숏 다이오드(확산 길이에 비해 QNR이 짧은 다이오드)

space-charge generation and recombination, 322–6

공간 전하의 생성과 재결합

nonideal Schottky barrier height, of metal–semiconductor

금속-반도체의 비이상적 쇼키(Schottky) 장벽 높이

junctions, 416–19

접합

non-Si channel materials, CMOS technology, 692

비 실리콘 채널 물질, CMOS 기술

nonuniform doping distributions, PN diode

불균일한 도핑 분포, PN 다이오드

depletion capacitance, 332–4

공핍(드플리션) 용량

IV characteristics, 335–6

전류-전압(I-V) 특성

minority carrier storage, 336–7

소수 캐리어 저장

nonuniformly doped semiconductor in thermal equilibrium

열평형에서 불균일하게 도핑된 반도체

Boltzmann relations, 156–9

Boltzmann(볼쯔만) 관계

equilibrium carrier concentration, 159–68

평형상태에서의 캐리어 농도

Gauss’ law, 153–6

가우스 법칙

npn bipolar transistor, 205

npn 양극성 트랜지스터

np product in equilibrium, 56–8

평형상태에서의 전자와 홀 농도의 곱(np)

1N5711 Schottky diode, IV characteristics, 369, 370, 401, 403

1N5711 쇼키 다이오드, 전류-전압(I-V) 특성

n-type semiconductor, 60, 66, 71, 95

n형(n-type) 반도체