M of Semi-Terms

macroscopic model, for metal–semiconductor interface, 417, 418

금속-반도체 계면에 대한 거시적 모델

majority carrier situations characterization, 250

다수 캐리어 상황에 대한 특성분석

circuit with resistor and battery, 210

저항과 전지를 포함하는 회로

dynamics, 228–31

역학

equation set, 211

방정식 모음

integrated resistor, 214–18

집적 저항

semiconductor bar under voltage, 212–14

전압이 인가된 하에서의 반도체 바(bar)

many-body effects, 72

다체(many-body) 효과

Maxwell–Boltzmann distribution function, 16

맥스웰-볼츠만(Maxwell-Boltzmann) 분포 함수

Maxwell–Boltzmann statistics, 92, 286

맥스웰-볼츠만(Maxwell–Boltzmann) 통계

Maxwellian distribution, 174, 175, 391

맥스웰 분포

mean free path, 136, 147, 148, 183, 391

평균 자유 거리

metal-insulator transition, 72

금속-부도체 천이

metallurgical junction, PN diode, 283

n형과 p형 반도체의 경계(metallurgical junction), PN 다이오드

metal–metal junction, in thermal equilibrium

열 평형 상태에서의 금속-금속 접합

built-in potential, 372

내부에 형성된(built-in) 전위

electric field, 372, 374

전계

electrostatic potential and potential energy, 372, 374

정전위와 위치 에너지

energy band diagram, 372, 373

에너지 밴드 모식도

local vacuum energy, 375

국부적인 진공 에너지

local work function, 374, 375

국부적인 일 함수

photoelectric effect, 374, 375

광전 효과

volume charge density, 372, 374

부피 전하 밀도 (단위 부피당 전하량)

work functions, 372, 373

일 함수(work function)

metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET),

563, 821

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

bipolar issues

양극성 이슈

floating-body effects, in SOI MOSFETs, 798–801

플로팅 바디(몸체) 효과, SOI MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

latch-up, 796–8

렛치-업(latch-up)

snap-back and breakdown characteristics, 801–2

스냅-벡 및 붕괴 특성

channel region, 533

채널 영역

charge–voltage characteristics see charge–voltage characteristics

전하-전압 특성

circuit symbol for, 534

회로 기호(심벌)

constant field scaling, 670–2

일정한 전계를 기준으로 하는 소자 스케일링

constant voltage scaling, 672–3

일정한 전압을 기준으로 하는 소자 스케일링

current–voltage characteristics see current–voltage characteristics, ideal MOSFET

이상적인 MOSFET의 전류-전압 특성

design, 681

설계

and CMOS, 683

그리고 CMOS

double-gate MOSFET, 691

게이트가 두개인 MOSFET

early integrated n-channel MOSFET, 681, 682

초창기 집적 n채널 MOSFET

early PMOS, 681

초창기 PMOS

ET–SOI MOSFET, 690

극도로 얇은 SOI층를 갖는 MOSFET

GAA–MOSFET, 691

GAA-MOSFET (게이트가 채널을 사방으로 모두 둘러싼 MOSFET)

gate sidewall spacers, 683

게이트 측벽 스페이서(sidewall spacer)

heavily doped polysilicon gate, 682

진하게 도핑된 폴리실리콘 게이트

non-Si channel materials, 692

비 실리콘 채널 물질

p-type MOSFET, 681

p형(정공을 주된 캐리어로 하는) MOSFET

self-aligned design, 682

자가 형성 디자인

self-aligned silicides, 683–4

자가 형성된 실리사이드

silicon-on-insulator, 686

실리콘 온 인슐레이터(SOI, 절연층 위에 실리콘층이 형성된 구조)

SOI MOSFET, 686

SOI MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

source and drain extensions, 683

소스와 드레인 확장(extension)

strained n-channel and p-channel MOSFET, 687–8

전자 혹은 정공을 주된 캐리어로 갖는 채널 물질의 격자 구조가 이완 혹은 수축된 MOSFET

super-steep retrograde body doping, 685

바디(몸체)의 급격한 역행 도핑(super-steep retrograde doping)

electric field distribution, 647

전계 분포

features, 533

특징

gate length, 532

게이트 길이

gate width, 532

게이트 폭

generalized scaling, 673–5

일반화된 소자 스케일링

high-field effects

높은 전계에 의한 효과

electrostatics of velocity saturation region, 647–51

속도 포화 영역에서의 정전계

gate-induced drain leakage, 661–4

게이트 전압에 의한 드레인 전류 누설 현상 (GIDL)

hot electrons, 647

열 전자

impact ionization and substrate current, 651–7

임펙트(Impact) 이온화와 기판 전류

output conductance, 657–61

출력 전도성

inversion layer transport, 595–6

반전 영역에서의 캐리어 수송

body effect, 541

몸체 효과(body effect)

channel voltage, 539

채널 전압

gradual-channel approximation, 540, 541, 597–8

점진적 채널(gradual channel) 근사(GCA)

local gate voltage overdrive, 538

국부적인 게이트 전압 오버드라이브(과도한 게이트 바이어스 인가)

sheet carrier concentration, 538

시트(sheet) 캐리어 농도

sheet-charge approximation, 539, 596

시트(sheet) 전하 근사

sheet-charge density, 539

시트(sheet) 전하 밀도(면전하 밀도)

validity of approximations, 599–601

근사의 타당성

nonideal effects see nonideal effects, MOSFET

MOSFET에서의 비이상적 현상(효과)들

on and off states, 667–9

온 및 오프 상태

qualitative operation

질적인 작용

cut-off regime, 536, 537

차단 영역

linear/triode regime, 536, 537

선형/트라이오드(triode) 동작 영역

saturation regime, 537

포화 동작 영역

water analogy, 536, 537

물의 흐름으로 이용한 비유

scaling

스케일링

energy consumption, 667

에너지 소모량

historical perspective, 675–80

역사적 고찰

Moore’s law, 665

무어의 법칙(Moore’s law)

performance, 665–6

성능

short-circuit current-gain cut-off frequency, fT

단락회로(short-circuit)에 대한 전류이득(current gain)의 차단 주파수(cut-off frequency)

bias dependence, 569

바이어스 의존성

Bode plot, 569

보드(Bode) 선도

circuit configuration, 567, 568

회로 구성

delay time, 570

지연 시간

drain current, 570

드레인 전류

gate and drain currents, 568

게이트와 드레인의 전류

transit time, 570–1

천이(건너는 데 걸리는) 시간

small-signal equivalent circuit model, 566

소신호 등가 회로 모델

back transconductance, 565

벡(back) 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)

DC bias situation, 564, 565

직류 바이어스(DC bias) 상황

output conductance, 565, 566

출력 전도성

saturation regime, 567

포화 동작 영역

small-signal situation, 564, 565

소신호 상황

transconductance, 565

전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)

spatial coordinates, 535

공간 좌표

switching, 667–9

스위칭

metal–oxide–semiconductor (MOS) structure

금속산화물반도체 (MOS) 구조

under bias, 451–3

바이어스 하에서의

accumulation, 453, 456–7

축적

depletion, 453–5

공핍(depletion, 디플리션)

flatband, 453, 455–6

플렛밴드(Flatband)

inversion, 459–62

반전

threshold, 453, 457–9, 460

문턱 전압

characterization, 441, 442

특성화/특성분석

dynamics of

역학

deep depletion, 471–5

과도한 공핍(디플리션)

high-frequency CV characteristics, 469–71, 472

고주파 C-V(커패시턴스-전압) 특성

quasi-static CV characteristics, 465–9

가상적(준) 정전계에서의 커패시턴스-전압(C-V) 특성

general model, 465

일반적인 모델

nonideal effects

비이상적 효과(현상)

interface states, 493–8

계면 상태

oxide charge, 489–93

옥사이드 내 전하(oxide charge)

on p-type substrate, 441, 442

p형 반도체 기판 위에

surface roughness, Si/SiO2 interface, 440

표면 러프니스(roughness), Si/SiO2 계면

three-terminal MOS structure

3 단자 MOS(금속산화물반도체) 구조

back-bias effect, 483

벡-바이어스 효과 (=바디 효과)

body effect, 485

몸체 효과(body effect)

energy band diagram, 480

에너지 밴드 다이어그램

evolution of, 481

진화(변화)

feature of, 479

특징

gate-to-body voltage, 483

게이트-바디 간 전압

inversion layer, 479

반전 영역

MOSFET, 483–5

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

shift in VT, 485

VT의 이동

threshold voltage, 482

문턱 전압

weak inversion and subthreshold regime

약한 반전과 서브스레쉬홀드 동작영역

electron charge, 478

전자의 전하량

ideality factor, 478

이상성 요소(ideality factor)

inverse subthreshold slope, 478

서브스레쉬홀드 기울기(subthreshold slope)의 역수

OFF current, 476

오프 전류

subthreshold current, 476

서브스레쉬홀드 전류

subthreshold swing, 478

서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)

voltage dependence, 477

전압의 의존성

at zero bias

제로 바이어스(zero bias)에서

electrostatics see electrostatics

정전계

energy band diagrams, 442, 443, 444

에너지 밴드 모식도

Fermi level, 442

페리미 레벨(준위)

net effect, 444

순수(전체적인) 효과

metal–semiconductor field-effect transistor (MESFET),

821

금속반도체 전계효과트랜지스터(MESFET)

metal–semiconductor interface

금속-반도체 계면

atomistic model for, 417, 418

원자 모형(모델)

energy band diagrams, 418, 419

에너지 밴드 모식도

macroscopic model for, 417, 418

거시적인 모델

metal–semiconductor junctions, 369

금속-반도체 접합

electrostatics

정전계

depletion approximation, 380, 383

공핍(드플리션) 근사

electric field, 381, 382

전계

electrostatic potential, 381–3

정전위

equilibrium carrier concentrations, 381, 383

평형상태에서의 캐리어 농도

first-order model, 380

1차 근사 모델

quasi-neutral region, 380

가상적 중성(준중성) 영역

space-charge region, 380

공간 전하 영역

volume charge density, 381

부피 전하 밀도(단위 부피당 전하량)

nonideal Schottky barrier height, 416–19

비이상적 쇼키(Schottky) 장벽 높이

in thermal equilibrium

열 평형 상태에서

electron affinity, 376

전자 친화도

energy band diagrams, 376, 377

에너지 밴드 모식도

Schottky barrier height, 378–80

쇼키(Schottky) 장벽 높이

Schottky–Mott relation, 378

쇼키-모트(Schottky-Mott) 관계

metals, insulators and semiconductors, 21–3

금속, 부도체 및 반도체

Microprocessors

마이크로프로세서

average transistor cost, 665, 666

트랜지스터의 평균 가격

clock frequency, evolution of, 666

클록 주파수의 변화

minority carrier charge, 732–5

소수 캐리어 전하

minority carrier injection and extraction, PN junction diode,

293–4

소수 캐리어 주입 및 추출, PN 접합 다이오드

minority carrier situations

소수 캐리어 상황

characterization, 218

특성화/특성분석

continuity equation, 219

연속 방정식

diffusion and bulk recombination in a “long” bar, 220–5

긴 구역에서의 확산과 벌크(bulk) 재결합

diffusion and surface recombination in a “short” bar, 225–7

짧은 구역에서의 확산과 표면 재결합

diffusion, drift and recombination in short bar, 253–5

짧은 구역에서의 확산, 표동 및 재결합

dynamics, 231–7

역학

equation set, 220

방정식 모음

length scales, 227–8, 255–60

길이 조절

low-level injection, 218

낮은 수준(low level)의 주입(injection)

mobile charge, 153

움직일 수 있는 전하

mobility, 137

이동도

mobility degradation, in short-channel MOSFET, 614–20

채널이 짧은 MOSFET에서의 캐리어 이동도 열화

Moore’s law, 665

무어의 법칙(Moore’s law)

MOS polysilicon gate stack, 639

MOS 폴리실리콘 게이트 스택(Stack)

MOS structure see Metal–oxide–semiconductor (MOS) structure

MOS(금속산화물반도체) 구조

Mott transition, 67, 71, 72

모트(Mott) 전이(transition)

multiplication coefficient, 247, 248

증식 계수