L of Semi-Terms

large-signal equivalent circuit model

대신호 등가 회로 모델

for ideal MOSFET, 560, 561

이상적인 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

Schottky diode, 400

쇼키(Schottky) 다이오드

lattice, 18

격자

constant, 18

상수

scattering, 134

산란(scattering)

vibrations, 24–6

진동

law of mass action, 37

메스 액션(mass action) 법칙

length scales, minority carrier situations, 227–8

길이 조절, 소수 캐리어 상황

light-emitting diode (LED), 821

광방출 다이오드(LED)

lightly doped drain (LDD), 683

약하게 도핑된 드레인(LDD)

location of Fermi level, 58

페리미 레벨(준위)의 위치

extrinsic semiconductor, 60–1

외인적(도핑한) 반도체

intrinsic semiconductor, 59

순수한(intrinsic, 도핑을 하지 않은) 반도체

low-level injection regime, 101, 340, 341

낮은 수준의 캐리어 주입 동작 영역