heavy-doping effects, 58
과도한 도핑으로 인한 효과
bandgap narrowing, 74–7
밴드 갭 얇아짐 효과
doping level fluctuations, 72
도핑 레벨 불균일
majority carrier degeneracy, 71
다수 캐리어 축퇴
many-body effects, 72
다체(many-body) 효과
MOSFET, 70
MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
Mott transition, 72–4
모트(Mott) 전이(transition)
n-type semiconductor, 71
n형 반도체
heterojunction bipolar transistor, 794
이종접합 양극성 트랜지스터
high-electron mobility transistor (HEMT), 821
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)
high-field effects, in MOSFET
MOSFET에서의 높은 전계에 의한 효과
electrostatics of velocity saturation region, 647–51
속도 포화 영역에서의 정전계
gate-induced drain leakage, 661–4
게이트 전압에 의한 드레인 전류 누설 현상 (GIDL)
hot electrons, 647
열 전자
impact ionization and substrate current, 651–7
임펙트 이온화 및 기판 전류
output conductance, 657–61
출력 전도성
high-frequency C–V characteristics, MOS structure, 469
MOS 구조의 고주파 C-V(커패시턴스-전압) 특성
AC voltage, 470
교류 전압
equivalent circuit description, 471
등가 회로 묘사(설명)
experimental results, 471, 472
실험 결과
interface state distributions, 495
계면 상태 분포
NBST-오타->NBTS, 493
NBTS(음의 바이어스와 온도로 인한 스트레스)
PBST-오타->PBTS, 493
PBTS(양의 바이어스와 온도로 인한 스트레스)
high-injection effects, PN diode
PN 다이오드에서 고주입(high injection) 효과
energy band diagram, 340, 341
에너지 밴드 모식도
minority and majority carrier concentrations, 338–9
소수 및 다수 캐리어 농도
voltage at, 338
전압
high-K dielectrics, 646, 688
고유전률(high-K) 유전체
high-K/metal gate CMOS generation, 689
high-K/금속 게이트 CMOS 세대
high-level injection, 101, 123–5
높은 수준(high level)의 주입
high–low junction, integrated PN diode
낮은 수준(low level)의 주입
doping distribution and excess hole concentration, 345–6
도핑 분포 및 과잉 정공 농도
energy band diagram, 345, 346
에너지 밴드 모식도
hole concentration, 346–7
정공 농도
hole capture, 93
정공 포획
hole diffusion length, 222
정공 확산 거리
hole emission, 93
정공 방출
hot-carrier effects
핫 캐리어 효과
electric field drift, 178
전계 포동
energy relaxation vs. momentum relaxation, 179–80
에너지 이완과 모멘텀 이완의 상관관계
hot-electron transport, 180–1
열 전자 수송
impact ionization, 181–4
임펙트 이온화
hot-electron transport, 180–1
열 전자 수송
hyperbolic doping distribution, 165–8
쌍곡선 도핑 분포
