Early effect, 747–52
얼리(Early) 현상(효과)
effective density of states of the conduction band, 50
컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대)의 유효 상태 밀도
effective density of states of the valence band, 54
벨런스 밴드의 유효 상태 밀도
effective intrinsic carrier concentration, 74
유효 순수(intrinsic) 캐리어 농도
Einstein relation, 149–50
아인슈타인(Einstein) 관계
electrically erasable programmable read-only memory
(EEPROM), 7, 821
EEPROM (전기적으로 지우거나 프로그래밍 가능한 읽기 전용 메모리)
electric field, 460, 461, 827–8
전계
distribution, 447
분포
drift, 178
표동(드리프트)
energy band diagram, 144–7
에너지 밴드 모식도
- hole inversion layer mobility, 617
반전영역에서의 정공 이동도에 대한
lateral, 545, 546, 549, 550, 581, 582, 622–5
측면
metal–metal junction, 374
금속-금속 접합
metal–semiconductor junction, 380, 381
금속-반도체 접합
nonuniform, 261–2
불균일
electron and hole inversion layer mobility
반전 영역에서의 전자 및 정공의 이동도
- effective electric field, 617
유효 전계에 대한
- sheet carrier concentrations, 615–16
시트(sheet) 캐리어 농도
electron capture coefficient, 93
전자 포획 계수
electron charge, 817
전자의 전하량
electron conductivity effective mass, 132
전자의 전도도와 유효 질량
electron diffusion, 588, 598
전자의 확산
electron emission, 93
전자의 방출
electron emission coefficient, 93
전자 방출 계수
electron rest mass, 817
전자의 정지 질량(rest mass)
electrons
전자
in confined environments, 7–9
구속된 환경에서의
dual nature of the, 5–7
두 가지 본성
electron statistics, 12–17
전자 통계
electron transport, in short-channel MOSFET
짧은 채널을 갖는 MOSFET에서의 전자 전송
mobility degradation, 614–20
이동도 열화
velocity saturation, 620–7
속도 포화
electron tunneling, through gate oxide, 644
게이트 옥사이드(산화물)을 통한 전자 터널링
electrostatic discharge (ESD), 821
정전기 방전(ESD)
electrostatics
정전계
lateral, 540, 541
측면
metal–semiconductor junctions
금속-반도체 접합
depletion approximation, 380, 383
공핍(드플리션) 근사
electric field, 381, 382
전계
electrostatic potential, 381–3
정전위
equilibrium carrier concentrations, 381, 383
평형상태에서의 캐리어 농도
first-order model, 380
1차 근사 모델
quasi-neutral region, 380
가상적 중성(준준성) 영역
space-charge region, 380
공간 전하 영역
volume charge density, 381
부피 전하 밀도 (단위 부피당 전하량)
MOSFET
MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
linear regime, 548
선형 영역
pinch-off, 548, 582
핀치-오프(pinch-off)
saturation regime, 548
포화 영역
MOS structure
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor, 금속산화물반도체) 구조
body factor, 449, 450
보디(몸체) 요소
charge distribution, 444, 445
전하 분포
charge neutrality, 444
전하 중성 조건
depletion approximation, 447, 448
공핍(드플리션) 전하 근사
electric displacement vector, 446
전기 변위 벡터
electric field distribution, 447
전기장 분포
electrostatic potential, 448, 449
정전위
energy band diagram, 447, 448
에너지 밴드 모식도
equilibrium carrier concentrations, 447, 448
평형상태에서의 캐리어 농도
evolution of, 473
진화(변화)
Gaussian pill box, 445
가우시안 필 박스(Gaussian pill box)
Poisson–Boltzmann formulation see Poisson–Boltzmann
포아송-볼츠만(Poisson–Boltzmann) 방정식(표현)
formulation, MOS structure
식/표현, MOS 구조
surface potential, 446
표면 전위
three-terminal, 481
3 단자
PN junction in thermal equilibrium, 286–7, 290
평형상태에서의 PN 접합
of semiconductor bar under voltage, 214
전압이 인가된 하에서의 반도체 바(bar)
in short-channel MOSFET, 627
짧은 채널을 갖는 MOSFET
around threshold, 694–6
문턱 전압 근처
drain-induced barrier lowering, 632–6
드레인 전압에 의한 장벽 감쇄 현상 (DIBL)
gate capacitance, 638–44
게이트 커패시턴스
gate leakage current, 644–6
게이트 누설 전류
subthreshold swing and threshold voltage evolution, 628
서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)과 문턱전압 변화
subthreshold swing dependence on gate length and VDS, 636–8
서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)의 게이트 길이와 드레인 전압에 대한 의존성
threshold voltage dependence on gate length, 628–32
문턱전압의 게이트 길이에 대한 의존성
velocity saturation region, 697–8
속도 포화 영역
vertical, 540, 541
수직의(깊이 방향으로의)
elemental semiconductor, 18
기초적인 반도체
emission coefficient, PN diode, 352
방출 계수, PN 다이오드
emitter-base depletion region, 741
에미터-베이스 간 공핍 영역
emitter-coupled logic (ECL), 821
에미터-결합 로직 (ECL)
energetic electrons, 88
에너지가 충만한 전자
energy band diagram, 32–5, 42, 554–5
에너지 밴드 모식도
current visualization, 172
전류 가시화
under electric field, 144–7
전계가 인가된 하에서
electron tunneling, 409
전자 터널링
in forward and reverse bias, 307, 323
순방향 및 역방향 바이어스 상태에서
metal–semiconductor interfaces, 419
금속-반도체 계면
MOS structure, 445, 448, 454, 456, 458, 461, 475, 480,
490, 491
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor, 금속산화물반도체) 구조
of PN junction, 284, 285, 292, 341
PN 접합
energy relaxation vs. momentum relaxation, 179–80
에너지 이완과 모멘텀 이완의 상관관계
equilibrium carrier concentration
평형 상태에서의 캐리어 농도
delta doping, 160–3
델타(delta, 국부적으로 매우 얇게 도펀트(불순물) 층을 형성하는) 도핑
doping distribution, 159
도핑 분포
hyperbolic doping distribution, 165–8
쌍곡선 도핑 분포
quasi-neutral situations, 163–5
가상적 중성(준중성) 상태
equilibrium electron concentration
평형 상태에서의 전자 농도
conduction band edge, 49.0
컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대)의 최소점
degenerate semiconductor, 51
축퇴된 반도체
effective density of states of the conduction band, 50
컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대)의 유효 상태 밀도
electron and hole concentrations, 53
전자 및 정공의 농도
electron distribution in conduction band, 52, 53
컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대) 내에서의 전자 분포
electron energy distribution, 49
전자 에너지 분포
Fermi–Dirac integral, 50, 51
페르미-디락(Ferimi-Dirac) 적분
Maxwell–Boltzmann statistics, 52
맥스웰-볼츠만(Maxwell–Boltzmann) 통계
nondegenerate semiconductor, 51
비축퇴된 반도체
total electron concentration, 48
총 전자의 농도
equilibrium hole concentration, 54–6
평형 상태에서의 정공 농도
equivalent circuit model
등가 회로 모델
PN junction diode
PN 접합 다이오드
capacitance–voltage characteristics, 317
커패시턴스-전압 특성
chargeless ideal diode, 313, 314 see also chargeless ideal diode
전하 없는 이상적인 다이오드
circuit design, 351–3
회로 설계
diffusion capacitance, 318, 319
확산 커패시턴스
small-signal equivalent circuits, 319, 320
소신호 등가 회로
equivalent circuit model (continued)
등가 회로 모델
Schottky diode
쇼키(Schottky) 다이오드
circuit design, 423–4
회로 설계
large-signal and small-signal, 400–1
대신호 및 소신호
equivalent oxide thickness (EOT), 646, 821
등가 옥사이드(산화물) 두께(EOT)
equivalent SiO2 thickness, 646
등가 SiO2 두께
Extremely-Thin-Body SOI MOSFET, 690
극도로 얇은 바디를 갖는 SOI MOSFET
extrinsic semiconductor, 39
외인적(도핑한) 반도체
charge neutrality, 42–3
전하 중성 조건
donors and acceptors, 40–2
도너(기증자)와 억셉터(수혜자)
equilibrium carrier concentration, 43–6
평형 상태에서의 캐리어 농도
n-type, 40
n형(n-type)
p-type, 40
p형(p-type)
extrinsic transconductance, 593
외인적 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)
