E of Semi-Terms

Early effect, 747–52

얼리(Early) 현상(효과)

effective density of states of the conduction band, 50

컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대)의 유효 상태 밀도

effective density of states of the valence band, 54

벨런스 밴드의 유효 상태 밀도

effective intrinsic carrier concentration, 74

유효 순수(intrinsic) 캐리어 농도

Einstein relation, 149–50

아인슈타인(Einstein) 관계

electrically erasable programmable read-only memory

(EEPROM), 7, 821

EEPROM (전기적으로 지우거나 프로그래밍 가능한 읽기 전용 메모리)

electric field, 460, 461, 827–8

전계

distribution, 447

분포

drift, 178

표동(드리프트)

energy band diagram, 144–7

에너지 밴드 모식도

  1. hole inversion layer mobility, 617

반전영역에서의 정공 이동도에 대한

lateral, 545, 546, 549, 550, 581, 582, 622–5

측면

metal–metal junction, 374

금속-금속 접합

metal–semiconductor junction, 380, 381

금속-반도체 접합

nonuniform, 261–2

불균일

electron and hole inversion layer mobility

반전 영역에서의 전자 및 정공의 이동도

  1. effective electric field, 617

유효 전계에 대한

  1. sheet carrier concentrations, 615–16

시트(sheet) 캐리어 농도

electron capture coefficient, 93

전자 포획 계수

electron charge, 817

전자의 전하량

electron conductivity effective mass, 132

전자의 전도도와 유효 질량

electron diffusion, 588, 598

전자의 확산

electron emission, 93

전자의 방출

electron emission coefficient, 93

전자 방출 계수

electron rest mass, 817

전자의 정지 질량(rest mass)

electrons

전자

in confined environments, 7–9

구속된 환경에서의

dual nature of the, 5–7

두 가지 본성

electron statistics, 12–17

전자 통계

electron transport, in short-channel MOSFET

짧은 채널을 갖는 MOSFET에서의 전자 전송

mobility degradation, 614–20

이동도 열화

velocity saturation, 620–7

속도 포화

electron tunneling, through gate oxide, 644

게이트 옥사이드(산화물)을 통한 전자 터널링

electrostatic discharge (ESD), 821

정전기 방전(ESD)

electrostatics

정전계

lateral, 540, 541

측면

metal–semiconductor junctions

금속-반도체 접합

depletion approximation, 380, 383

공핍(드플리션) 근사

electric field, 381, 382

전계

electrostatic potential, 381–3

정전위

equilibrium carrier concentrations, 381, 383

평형상태에서의 캐리어 농도

first-order model, 380

1차 근사 모델

quasi-neutral region, 380

가상적 중성(준준성) 영역

space-charge region, 380

공간 전하 영역

volume charge density, 381

부피 전하 밀도 (단위 부피당 전하량)

MOSFET

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

linear regime, 548

선형 영역

pinch-off, 548, 582

핀치-오프(pinch-off)

saturation regime, 548

포화 영역

MOS structure

MOS(Metal-Oxide-Semiconductor, 금속산화물반도체) 구조

body factor, 449, 450

보디(몸체) 요소

charge distribution, 444, 445

전하 분포

charge neutrality, 444

전하 중성 조건

depletion approximation, 447, 448

공핍(드플리션) 전하 근사

electric displacement vector, 446

전기 변위 벡터

electric field distribution, 447

전기장 분포

electrostatic potential, 448, 449

정전위

energy band diagram, 447, 448

에너지 밴드 모식도

equilibrium carrier concentrations, 447, 448

평형상태에서의 캐리어 농도

evolution of, 473

진화(변화)

Gaussian pill box, 445

가우시안 필 박스(Gaussian pill box)

Poisson–Boltzmann formulation see Poisson–Boltzmann

포아송-볼츠만(Poisson–Boltzmann) 방정식(표현)

formulation, MOS structure

식/표현, MOS 구조

surface potential, 446

표면 전위

three-terminal, 481

3 단자

PN junction in thermal equilibrium, 286–7, 290

평형상태에서의 PN 접합

of semiconductor bar under voltage, 214

전압이 인가된 하에서의 반도체 바(bar)

in short-channel MOSFET, 627

짧은 채널을 갖는 MOSFET

around threshold, 694–6

문턱 전압 근처

drain-induced barrier lowering, 632–6

드레인 전압에 의한 장벽 감쇄 현상 (DIBL)

gate capacitance, 638–44

게이트 커패시턴스

gate leakage current, 644–6

게이트 누설 전류

subthreshold swing and threshold voltage evolution, 628

서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)과 문턱전압 변화

subthreshold swing dependence on gate length and VDS, 636–8

서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)의 게이트 길이와 드레인 전압에 대한 의존성

threshold voltage dependence on gate length, 628–32

문턱전압의 게이트 길이에 대한 의존성

velocity saturation region, 697–8

속도 포화 영역

vertical, 540, 541

수직의(깊이 방향으로의)

elemental semiconductor, 18

기초적인 반도체

emission coefficient, PN diode, 352

방출 계수, PN 다이오드

emitter-base depletion region, 741

에미터-베이스 간 공핍 영역

emitter-coupled logic (ECL), 821

에미터-결합 로직 (ECL)

energetic electrons, 88

에너지가 충만한 전자

energy band diagram, 32–5, 42, 554–5

에너지 밴드 모식도

current visualization, 172

전류 가시화

under electric field, 144–7

전계가 인가된 하에서

electron tunneling, 409

전자 터널링

in forward and reverse bias, 307, 323

순방향 및 역방향 바이어스 상태에서

metal–semiconductor interfaces, 419

금속-반도체 계면

MOS structure, 445, 448, 454, 456, 458, 461, 475, 480,

490, 491

MOS(Metal-Oxide-Semiconductor, 금속산화물반도체) 구조

of PN junction, 284, 285, 292, 341

PN 접합

energy relaxation vs. momentum relaxation, 179–80

에너지 이완과 모멘텀 이완의 상관관계

equilibrium carrier concentration

평형 상태에서의 캐리어 농도

delta doping, 160–3

델타(delta, 국부적으로 매우 얇게 도펀트(불순물) 층을 형성하는) 도핑

doping distribution, 159

도핑 분포

hyperbolic doping distribution, 165–8

쌍곡선 도핑 분포

quasi-neutral situations, 163–5

가상적 중성(준중성) 상태

equilibrium electron concentration

평형 상태에서의 전자 농도

conduction band edge, 49.0

컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대)의 최소점

degenerate semiconductor, 51

축퇴된 반도체

effective density of states of the conduction band, 50

컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대)의 유효 상태 밀도

electron and hole concentrations, 53

전자 및 정공의 농도

electron distribution in conduction band, 52, 53

컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대) 내에서의 전자 분포

electron energy distribution, 49

전자 에너지 분포

Fermi–Dirac integral, 50, 51

페르미-디락(Ferimi-Dirac) 적분

Maxwell–Boltzmann statistics, 52

맥스웰-볼츠만(Maxwell–Boltzmann) 통계

nondegenerate semiconductor, 51

비축퇴된 반도체

total electron concentration, 48

총 전자의 농도

equilibrium hole concentration, 54–6

평형 상태에서의 정공 농도

equivalent circuit model

등가 회로 모델

PN junction diode

PN 접합 다이오드

capacitance–voltage characteristics, 317

커패시턴스-전압 특성

chargeless ideal diode, 313, 314 see also chargeless ideal diode

전하 없는 이상적인 다이오드

circuit design, 351–3

회로 설계

diffusion capacitance, 318, 319

확산 커패시턴스

small-signal equivalent circuits, 319, 320

소신호 등가 회로

equivalent circuit model (continued)

등가 회로 모델

Schottky diode

쇼키(Schottky) 다이오드

circuit design, 423–4

회로 설계

large-signal and small-signal, 400–1

대신호 및 소신호

equivalent oxide thickness (EOT), 646, 821

등가 옥사이드(산화물) 두께(EOT)

equivalent SiO2 thickness, 646

등가 SiO2 두께

Extremely-Thin-Body SOI MOSFET, 690

극도로 얇은 바디를 갖는 SOI MOSFET

extrinsic semiconductor, 39

외인적(도핑한) 반도체

charge neutrality, 42–3

전하 중성 조건

donors and acceptors, 40–2

도너(기증자)와 억셉터(수혜자)

equilibrium carrier concentration, 43–6

평형 상태에서의 캐리어 농도

n-type, 40

n형(n-type)

p-type, 40
p형(p-type)

extrinsic transconductance, 593

외인적 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)