D of Semi-Terms

de Broglie wavelength, 5, 6, 408

드 브로이(de Broglie) 파장

Debye length, 163–5, 167, 213, 214, 224, 237, 467

드바이(Debye) 길이

deep depletion

과도한 공핍(디플리션)

definition, 471, 472, 473

정의

energy band diagrams, 474, 475

에너지 밴드 모식도

semiconductor capacitance, 474

반도체의 용량(커패시턴스)

voltage step, 472, 473

전압 스탭

deep levels/traps, 86

딥 레빌/트랩

delta doping, 160–3

델타(delta, 국부적으로 매우 얇게 도펀트(불순물) 층을 형성하는) 도핑

density of states (DOS), 23–4, 497, 821

상태 밀도(DOS)

electron effective mass, 48

전자의 유효 질량

hole effective mass, 48

정공의 유효 질량

depletion

(캐리어) 공핍

approximation, 286, 332, 349–50, 447, 448, 511

근사

charge, 309–10, 731–2

전하(량)

deep, 471–5

과도한

MOSFET, 556–7

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

MOS structure

MOS(금속산화물반도체) 구조

carrier concentration, 454

캐리어 농도

definition, 453

정의

electrostatic potential, 454

정전위

energy band diagram, 453, 454

에너지 밴드 모식도

volume charge density, 454

부피 전하 밀도 (단위 부피당 전하량)

dielectric isolation, 792, 793

유전체 격리

dielectric relaxation, 229, 230, 251–3, 311, 470

유전체 이완

dielectric relaxation time, n- and p-type Si, 229–30

유전체 이완 시간

diffusion

확산

capacitance, PN junction diode, 318, 319

PN 접합 다이오드의 용량(커페시턴스)

and carrier drift see carrier drift and diffusion

캐리어의 표동, 캐리어의 표동과 확산

coefficient, 148

계수

current, 150–1

전류

Einstein relation, 149–50

아인슈타인(Einstein) 관계

electron, 588, 598

전자

Fick’s first law, 147–8

Fick의 제1 법칙

minority carrier situations

소수 캐리어 상황

bulk recombination in a “long” bar, 220–5

긴 구역에서의 벌크(bulk) 재결합

drift, and recombination in short bar, 253–5

짧은 구역에서의 표동 및 재결합

surface recombination in a “short” bar, 225–7

짧은 구역에서의 표면 재결합

diode saturation current, 303

다이오드 포화 전류

direct bandgap, 85

다이렉트 밴드갭

direct current (DC), 821

직류 전류 (DC)

donor and acceptor ionization, statistics of, 66–8

도너와 억셉터의 이온화 통계

donor degeneracy factor, 67

도너의 축퇴 요소

donor ionization energy, 42

도너 이온화 에너지

donor states, 486, 487

도너 상태

doping distribution, 159

도핑 분포

doping level fluctuations, 72

도핑 레벨 불균일

double-gate FET, 691

게이트가 두 개인 전계효과트랜지스터(FET)

double-gate MOSFET, 691

게이트가 두개인 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

drain current and transconductance, in MOSFET, 616, 619

MOSFET의 드레인 전류 및 전달전도성 (트랜스컨덕턴스)

drain-induced barrier lowering (DIBL), 632–6, 657, 660, 661

드레인 전압에 의한 장벽 감쇄 현상 (DIBL)

drift

표동(드리프트)

drift current, 140–4

표동 전류

drift velocity, 136–9

표동 속도

energy band diagram under electric field, 144–7

전계(가) (인가된) 하에서의 에너지 밴드 모식도

velocity saturation, 139–40

속도 포화

drift-diffusion formulation, 206

표동-확산 형성

drift-diffusion model, 390, 420–2

표동-확산 모델

drift velocity, 136–9, 827–8

표동 속도

dynamic power, 669

동적 전력

dynamic random-access memory (DRAM), 83, 821

동적 무작위 접근 메모리(DRAM)

dynamics

역학

excess carriers in uniform situations

균일한 상황에서의 과잉 캐리어

first-order differential equation, 109

1차 미분 방정식

internal vs. external generation, 108, 109

내부 및 외부 생성

pulse of light, 111–15

광 펄스

quasi-neutrality statement, 109

가상적(준) 중성상태에 대한 표현

turn-off transient, 110–11

꺼지는 과도기

turn-on transient, 110

켜지는 과도기

minority carrier situations

소수 캐리어 상황

dominant time constant, 236–7

우세한 시정수(시상수)

spatial dependence and time dependence, 234

공간적 시간적 의존성

time decay of excess carrier concentration in semiconductor

반도체 내 과잉 캐리어 농도의 시간에 따른 감소

bar, 231, 235

구역(덩어리)

time-dependent equation, 233

시간에 대한 방정식

transient problems, 232

과도기 문제들

transit time, 235–6

천이 시간

of MOS structure see metal–oxide–semiconductor (MOS)

structure

MOS 구조, 금속산화물반도체(MOS)에 관한