capacitance equivalent thickness (CET), 642–3, 821
용량성 등가 두께
capture and emission coefficients, 94
포획 및 방사 변수
capture of electrons, 93
전자 포획
carrier-carrier scattering, 134
캐리어 간 산란
carrier drift and diffusion
캐리어 표동 및 확산
diffusion current, 150–1
확산 전류
drift current, 140–4
표동 전류
drift velocity, 136–9
표동 속도
Einstein relation, 149
아인슈타인(Einstein) 관계
energy band diagram under electric field, 144–7
전계 하에서의 에너지 밴드 모식도
Fick’s first law, 147–9
Fick의 제1 법칙
gamma function, 178
감마 함수
hot-carrier effects, 178–84
핫 캐리어 효과
nonuniformly doped semiconductor in thermal equilibrium,
153–68
열평형에서 불균일하게 도핑된 반도체
quasi-equilibrium, 131
가상적(가짜, 준) 평형상태
quasi-Fermi levels and quasi-equilibrium, 168–76
가상적(준) 페리미 레벨(준위) 및 가상적 평형상태
quasi-neutral, 131
가상적(준) 중성상태
scattering, 133–6
산란
thermal velocity, 132–3
열에너지로 인한 전하의 이동 속도
transit time, 151–3
천이(건너는 데 걸리는) 시간
velocity saturation, 139–40
속도 포화
carrier freeze-out, 68–70
캐리어 고정 상태
carrier generation and recombination
캐리어 생성 및 재결합
Auger generation, 85
Auger(오제) 생성
Auger recombination, 85
Auger(오제) 재결합
avalanche multiplication, 88
아발란체 증식
band-to-band optical generation, 84–5, 97
밴드 간 광학적 생성
band-to-band optical process, 98
밴드 간 광학적 생성 과정
band-to-band thermal generation and recombination, 84
밴드 간 열적 생성 및 재결합
dynamic balance, 83
동적 균형
dynamic random-access memory, 83
동적 무작위 접근 메모리
dynamics of excess carriers in uniform situations,
108–15
균일한 상황에서의 과잉 캐리어에 관한 역학
extraction, generation lifetime, 105–8
추출, 생성 라이프타임(lifetime)
field ionization, 88
전계로 인한 이온화
hot-electron Auger process, 99
핫 전자 Auger(오제) 과정
net recombination rate, 97
내부 재결합율(률)
optical recombination rate, 98
광학적 재결함율(률)
quasi-neutral low-level injection, 100–5
가상적(가짜, 준) 중성상태에서의 저준위 주입
Shockley–Read–Hall model, 100, 119–25
쇼클리-리드-홀 모형(모델)
surface generation and recombination, 115–17
표면 생성 및 재결합
thermal equilibrium see thermal equilibrium
열평형 (열적 평형)
trap-assisted thermal generation and recombination, 85–8
트랩의 도움에 의한 열적 생생 및 재결합
trap-assisted thermal processes, 99
트랩의 도움에 의한 열적 과정
carrier multiplication
캐리어 증식
description, 243
묘사
equation set, 245
방정식 모음
in high-resistivity region, 245–9
높은 저항성 영역에서
under nonuniform electric field, 261–2
불균일한 전계 하에서
carrier statistics in equilibrium
평형상태에서의 캐리어 통계
approximations for strongly degenerate semiconductor, 66
많이 축퇴된 반도체에 대한 근사
carrier freeze-out, 68–70
캐리어 고정 상태
conduction and valence band
컨덕션 및 벨런스 밴드 (전도 및 결합 밴드)
bandgap, holes, 31–6
밴드 갭, 정공
density of states, 46–8
상태 밀도
equilibrium electron concentration, 48–53
평형상태에서의 전자 농도
equilibrium hole concentration, 54–6
평형상태에서의 정공 농도
extrinsic semiconductor, 39–46
외인적(도핑한) 반도체
Fermi–Dirac integral, 65–6
페르미-디락 적분
heavy-doping effects, 70–7
과도한 도핑으로 인한 효과
intrinsic semiconductor, 36–9
순수한(intrinsic, 도핑을 하지 않은) 반도체
location of Fermi level, 58–61
페리미 레벨(준위)의 위치
np product in equilibrium, 56–8
평형상태에서의 전자와 정공 농도의 곱(np)
n-type semiconductor, 62
n형 반도체
p-type semiconductor, 62
p형 반도체
statistics of donor and acceptor ionization, 66–8
도너(기증자) 및 억셉터(수혜자) 이온화 통계
temperature dependence of the bandgap, 63–4
밴드 갭의 온도 의존성
channel debiasing, 544, 545, 546, 580
채널 바이어스 제거하기
channel length modulation (CLM), 583, 584, 657–9,
821
채널 길이 변조
channel voltage, 539, 545, 546, 550, 572, 581, 582,
623
채널 전압
charge-coupled devices (CCDs), 474, 821
전하 결합 소자
chargeless ideal diode, 313, 314
전하가 없는 이상적 다이오드
dynamic resistance, 315
동적 저항(미분 저항)
terminal diode current, 314
외부 전극에 흐르는 다이오드 전류
charge neutrality, 154
전하 중성 조건
charge–voltage characteristics
전하-전압 특성
ideal bipolar junction transistor, 730, 736
이상적 BJT (양극성 접합 트랜지스터)
depletion charge, 731–2
공핍(드플리션) 전하
minority carrier charge, 732–5
소수 캐리어 전하
ideal MOSFET, 555
이상적인 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
depletion charge, 556–7
공핍(디플리션) 전하
inversion charge, 558–61
반전 전하
MOS structure
MOS(금속산화물반도체) 구조
accumulation charge, 464
축적된 전하(량)
semiconductor charge vs. surface potential, 463
반도체내 전하량과 표면전위의 상관관계
semiconductor charge vs. voltage, 463
반도체내 전하량과 전압의 상관관계
sheet-charge approximation, 463, 464
시트(sheet) 전하 근사법
surface potential vs. voltage, 463
표면전위와 전압의 상관관계
PN junction diode
PN 접합 다이오드
depletion charge, 309–10, 310
공핍(디플리션) 전하
minority carrier charge, 310–13, 311
소수 캐리어 전하
parallel plate capacitor, 308
평행 도체판 커패시터
Schottky diode, 399–400
쇼키(쇼트키) 다이오드
compensated semiconductor, 46
보상된 반도체
complementary-metal–oxide–semiconductor (CMOS),
821
상보금속산화물반도체(CMOS)
advantage, 683
장점(이점)
characteristics, 613
특성
constant field scaling, 680–1
일정한 전계를 기준으로 하는 스케일링
development phase, 675
개발 단계
gate-induced drain leakage, 664
게이트 전압에 의한 드레인 누설 전류 현상 (GIDL)
junction depth and gate oxide thickness, of n-channel
MOSFETs, 676, 677
MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
manufacturing ramp-up phase, 675
제조 가속화 단계
minimum half pitch and gate length, 676
최소 절반 간격 및 게이트 길이
operating and threshold voltage, 677
동작과 문턱전압
research phase, 675
연구 단계
supply voltage to gate length, ratio of, 678
게이트 길이에 대한 공급 전압의 비율
compound semiconductors, 18, 19, 33, 487, 692
화합물 반도체
Compton effect, 5
컴프턴 효과
computer-aided design (CAD), 351–3, 821
컴퓨터 기반의 디자인 (캐드, CAD)
conduction and valence band
컨덕션 및 벨런스 밴드 (전도 및 결합 밴드)
bandgap, 31, 32, 34, 35
밴드 갭
conduction band, 32
컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대)
conduction electron, 33
전도에 관련하는 전자
density of states, 46–8
상태 밀도
energy band diagram, 32, 34
에너지 밴드 모식도
free electrons and holes, 34
자유 전자 및 자유 정공
holes, 33–36
정공
quantum-mechanical bonded electrons, 36
양자역학적으로 결합된 전자들
semiconductor lattice, 32
반도체 격자
valence band, 32
벨런스 밴드(결합 밴드)
conductivity, 21, 22, 132, 142
전도도
constant field scaling, of MOSFET, 670–2
일정한 전계를 기준으로 하는 MOSFET 스케일링
constant voltage scaling, of MOSFET, 672–3
일정한 전압을 기준으로 하는 MOSFET 스케일링
continuity equations
연속 방정식
charge density, 195
전하 밀도
electrons, 195
전자
in integral form, 250–1
적분형으로
in static situation, 195
정적인 상황에서
surface see surface continuity equations
(표)면에 대한 연속 방정식
core electrons, 8, 20
주된 전자
covalent bonding, 19
공유결합
crystalline solid, 18–21
고체 결정(결정질 고체)
current density, 140
전류 밀도
and carrier flux, 141
캐리어 플럭스(flux)
electron, 141, 156, 198
전자
hole, 198, 202, 226
정공
current-induced base (CIB), 775, 777
전류가 유도된 베이스(CIB)
current–voltage characteristics, ideal BJT
이상적인 BJT의 전류-전압 특성
base–collector junction, 714
베이스-콜렉터 접합
cut-off regime, 725–7
차단 영역
double-diode structure, 713
쌍 다이오드 구조
emitter doping, 714
에미터 도핑
forward-active regime, 712, 715, 716–23
순방향 능동 동작 영역
MOSFET, 714, 715
MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
output I–V characteristics, 729–30
출력 I-V 특성
reverse regime, 723–5
역방향 동작 영역
saturation, 712, 727–8
포화
current–voltage characteristics, ideal MOSFET
이상적인 MOSFET의 전류-전압 특성
cut-off regime, 541–2
차단 영역
DC large-signal equivalent-circuit model, 552, 554
DC 대신호 등가 회로 모델(모형)
energy band diagrams, 554–5
에너지 밴드 모식도
linear regime, 542, 548
선형 동작 영역
channel voltage, 545, 546
채널 전압
drain current, 543
드레인 전류
electron concentration, 544
전자 농도
inversion layer charge, 545, 546
반전 영역 전하(량)
lateral electric field, 545, 546
측면(수평) 전계
local gate overdrive, 545, 546
국부적인 게이트 오버드라이브(과도한 바이어스 인가)
output characteristics, 551
출력 특성
pinch-off point, 547
핀치-오프(pinch-off) 지점
saturation regime
포화 동작 영역
electric field, 548
전계
inversion layer charge, 549, 550
반전 영역의 전하(량)
lateral electric field, 549, 550
측면 전계
local gate overdrive, 549, 550
국부적 게이트 오버드라이브(과도한 바이어스 인가)
output characteristics, 549, 551, 553
출력 특성
transfer characteristics, 551, 552, 553
전달 특성
current–voltage characteristics, PN junction diode
PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성
electrostatics under bias, 291–2
바이어스 하에서의 정전계
qualitative discussion, 292–5
정성적인 논의
quantitative models, 295–308
정량적인 논의
current–voltage characteristics, Schottky diode
쇼키(쇼트키) 다이오드의 전류-전압 특성
drift-diffusion model, 390
표동-확산(drift-diffusion) 모델
electron flow, 388, 389
전자의 흐름
electrostatics under bias, 384–7
바이어스 하에서의 정전계
majority and minority carrier, 387
다수 및 소수 캐리어 전하
thermionic emission model
열 이온성(열전자) 방출(방사) 모델
Bethe condition, 397
Bethe(베테) 조건(상태)
electron concentration, 391–3
전자 농도
electron velocity distribution, 393
전자의 속도 분포
forward bias, 390
순방향 바이어스
Hemi–Maxwellian distribution, 391, 392
헤미-맥스웰(Hemi–Maxwellian) 분포
hole quasi-Fermi level, 398
정공의 가상적(준) 페르미 레벨(준위)
net diode current, 393
내부적인 다이오드 전류
PtSi/n-Si junction, 394–6
PtSi/n-Si 접합
quasi-equilibrium approximation, 391
가상적(준) 평형상태 근사화
quasi-equilibrium assumption, 397
가상적(준) 평형상태 가정
Richardson constant, 393
리챠드슨(Richardson) 상수
saturation current, 394
포화 전류
