C of Semi-Terms

capacitance equivalent thickness (CET), 642–3, 821

용량성 등가 두께

capture and emission coefficients, 94

포획 및 방사 변수

capture of electrons, 93

전자 포획

carrier-carrier scattering, 134

캐리어 간 산란

carrier drift and diffusion

캐리어 표동 및 확산

diffusion current, 150–1

확산 전류

drift current, 140–4

표동 전류

drift velocity, 136–9

표동 속도

Einstein relation, 149

아인슈타인(Einstein) 관계

energy band diagram under electric field, 144–7

전계 하에서의 에너지 밴드 모식도

Fick’s first law, 147–9

Fick의 제1 법칙

gamma function, 178

감마 함수

hot-carrier effects, 178–84

핫 캐리어 효과

nonuniformly doped semiconductor in thermal equilibrium,

153–68

열평형에서 불균일하게 도핑된 반도체

quasi-equilibrium, 131

가상적(가짜, 준) 평형상태

quasi-Fermi levels and quasi-equilibrium, 168–76

가상적(준) 페리미 레벨(준위) 및 가상적 평형상태

quasi-neutral, 131

가상적(준) 중성상태

scattering, 133–6

산란

thermal velocity, 132–3

열에너지로 인한 전하의 이동 속도

transit time, 151–3

천이(건너는 데 걸리는) 시간

velocity saturation, 139–40

속도 포화

carrier freeze-out, 68–70

캐리어 고정 상태

carrier generation and recombination

캐리어 생성 및 재결합

Auger generation, 85

Auger(오제) 생성

Auger recombination, 85

Auger(오제) 재결합

avalanche multiplication, 88

아발란체 증식

band-to-band optical generation, 84–5, 97

밴드 간 광학적 생성

band-to-band optical process, 98

밴드 간 광학적 생성 과정

band-to-band thermal generation and recombination, 84

밴드 간 열적 생성 및 재결합

dynamic balance, 83

동적 균형

dynamic random-access memory, 83

동적 무작위 접근 메모리

dynamics of excess carriers in uniform situations,

108–15

균일한 상황에서의 과잉 캐리어에 관한 역학

extraction, generation lifetime, 105–8

추출, 생성 라이프타임(lifetime)

field ionization, 88

전계로 인한 이온화

hot-electron Auger process, 99

핫 전자 Auger(오제) 과정

net recombination rate, 97

내부 재결합율(률)

optical recombination rate, 98

광학적 재결함율(률)

quasi-neutral low-level injection, 100–5

가상적(가짜, 준) 중성상태에서의 저준위 주입

Shockley–Read–Hall model, 100, 119–25

쇼클리-리드-홀 모형(모델)

surface generation and recombination, 115–17

표면 생성 및 재결합

thermal equilibrium see thermal equilibrium

열평형 (열적 평형)

trap-assisted thermal generation and recombination, 85–8

트랩의 도움에 의한 열적 생생 및 재결합

trap-assisted thermal processes, 99

트랩의 도움에 의한 열적 과정

carrier multiplication

캐리어 증식

description, 243

묘사

equation set, 245

방정식 모음

in high-resistivity region, 245–9

높은 저항성 영역에서

under nonuniform electric field, 261–2

불균일한 전계 하에서

carrier statistics in equilibrium

평형상태에서의 캐리어 통계

approximations for strongly degenerate semiconductor, 66

많이 축퇴된 반도체에 대한 근사

carrier freeze-out, 68–70

캐리어 고정 상태

conduction and valence band

컨덕션 및 벨런스 밴드 (전도 및 결합 밴드)

bandgap, holes, 31–6

밴드 갭, 정공

density of states, 46–8

상태 밀도

equilibrium electron concentration, 48–53

평형상태에서의 전자 농도

equilibrium hole concentration, 54–6

평형상태에서의 정공 농도

extrinsic semiconductor, 39–46

외인적(도핑한) 반도체

Fermi–Dirac integral, 65–6

페르미-디락 적분

heavy-doping effects, 70–7

과도한 도핑으로 인한 효과

intrinsic semiconductor, 36–9

순수한(intrinsic, 도핑을 하지 않은) 반도체

location of Fermi level, 58–61

페리미 레벨(준위)의 위치

np product in equilibrium, 56–8

평형상태에서의 전자와 정공 농도의 곱(np)

n-type semiconductor, 62

n형 반도체

p-type semiconductor, 62

p형 반도체

statistics of donor and acceptor ionization, 66–8

도너(기증자) 및 억셉터(수혜자) 이온화 통계

temperature dependence of the bandgap, 63–4

밴드 갭의 온도 의존성

channel debiasing, 544, 545, 546, 580

채널 바이어스 제거하기

channel length modulation (CLM), 583, 584, 657–9,

821

채널 길이 변조

channel voltage, 539, 545, 546, 550, 572, 581, 582,

623

채널 전압

charge-coupled devices (CCDs), 474, 821

전하 결합 소자

chargeless ideal diode, 313, 314

전하가 없는 이상적 다이오드

dynamic resistance, 315

동적 저항(미분 저항)

terminal diode current, 314

외부 전극에 흐르는 다이오드 전류

charge neutrality, 154

전하 중성 조건

charge–voltage characteristics

전하-전압 특성

ideal bipolar junction transistor, 730, 736

이상적 BJT (양극성 접합 트랜지스터)

depletion charge, 731–2

공핍(드플리션) 전하

minority carrier charge, 732–5

소수 캐리어 전하

ideal MOSFET, 555

이상적인 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

depletion charge, 556–7

공핍(디플리션) 전하

inversion charge, 558–61

반전 전하

MOS structure

MOS(금속산화물반도체) 구조

accumulation charge, 464

축적된 전하(량)

semiconductor charge vs. surface potential, 463

반도체내 전하량과 표면전위의 상관관계

semiconductor charge vs. voltage, 463

반도체내 전하량과 전압의 상관관계

sheet-charge approximation, 463, 464

시트(sheet) 전하 근사법

surface potential vs. voltage, 463

표면전위와 전압의 상관관계

PN junction diode

PN 접합 다이오드

depletion charge, 309–10, 310

공핍(디플리션) 전하

minority carrier charge, 310–13, 311

소수 캐리어 전하

parallel plate capacitor, 308

평행 도체판 커패시터

Schottky diode, 399–400

쇼키(쇼트키) 다이오드

compensated semiconductor, 46

보상된 반도체

complementary-metal–oxide–semiconductor (CMOS),

821

상보금속산화물반도체(CMOS)

advantage, 683

장점(이점)

characteristics, 613

특성

constant field scaling, 680–1

일정한 전계를 기준으로 하는 스케일링

development phase, 675

개발 단계

gate-induced drain leakage, 664

게이트 전압에 의한 드레인 누설 전류 현상 (GIDL)

junction depth and gate oxide thickness, of n-channel

MOSFETs, 676, 677

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

manufacturing ramp-up phase, 675

제조 가속화 단계

minimum half pitch and gate length, 676

최소 절반 간격 및 게이트 길이

operating and threshold voltage, 677

동작과 문턱전압

research phase, 675

연구 단계

supply voltage to gate length, ratio of, 678

게이트 길이에 대한 공급 전압의 비율

compound semiconductors, 18, 19, 33, 487, 692

화합물 반도체

Compton effect, 5

컴프턴 효과

computer-aided design (CAD), 351–3, 821

컴퓨터 기반의 디자인 (캐드, CAD)

conduction and valence band

컨덕션 및 벨런스 밴드 (전도 및 결합 밴드)

bandgap, 31, 32, 34, 35

밴드 갭

conduction band, 32

컨덕션 밴드 (전도 밴드, 전도대)

conduction electron, 33

전도에 관련하는 전자

density of states, 46–8

상태 밀도

energy band diagram, 32, 34

에너지 밴드 모식도

free electrons and holes, 34

자유 전자 및 자유 정공

holes, 33–36

정공

quantum-mechanical bonded electrons, 36

양자역학적으로 결합된 전자들

semiconductor lattice, 32

반도체 격자

valence band, 32

벨런스 밴드(결합 밴드)

conductivity, 21, 22, 132, 142

전도도

constant field scaling, of MOSFET, 670–2

일정한 전계를 기준으로 하는 MOSFET 스케일링

constant voltage scaling, of MOSFET, 672–3

일정한 전압을 기준으로 하는 MOSFET 스케일링

continuity equations

연속 방정식

charge density, 195

전하 밀도

electrons, 195

전자

in integral form, 250–1

적분형으로

in static situation, 195

정적인 상황에서

surface see surface continuity equations

(표)면에 대한 연속 방정식

core electrons, 8, 20

주된 전자

covalent bonding, 19

공유결합

crystalline solid, 18–21

고체 결정(결정질 고체)

current density, 140

전류 밀도

and carrier flux, 141

캐리어 플럭스(flux)

electron, 141, 156, 198

전자

hole, 198, 202, 226

정공

current-induced base (CIB), 775, 777

전류가 유도된 베이스(CIB)

current–voltage characteristics, ideal BJT

이상적인 BJT의 전류-전압 특성

base–collector junction, 714

베이스-콜렉터 접합

cut-off regime, 725–7

차단 영역

double-diode structure, 713

쌍 다이오드 구조

emitter doping, 714

에미터 도핑

forward-active regime, 712, 715, 716–23

순방향 능동 동작 영역

MOSFET, 714, 715

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

output IV characteristics, 729–30

출력 I-V 특성

reverse regime, 723–5

역방향 동작 영역

saturation, 712, 727–8

포화

current–voltage characteristics, ideal MOSFET

이상적인 MOSFET의 전류-전압 특성

cut-off regime, 541–2

차단 영역

DC large-signal equivalent-circuit model, 552, 554

DC 대신호 등가 회로 모델(모형)

energy band diagrams, 554–5

에너지 밴드 모식도

linear regime, 542, 548

선형 동작 영역

channel voltage, 545, 546

채널 전압

drain current, 543

드레인 전류

electron concentration, 544

전자 농도

inversion layer charge, 545, 546

반전 영역 전하(량)

lateral electric field, 545, 546

측면(수평) 전계

local gate overdrive, 545, 546

국부적인 게이트 오버드라이브(과도한 바이어스 인가)

output characteristics, 551

출력 특성

pinch-off point, 547

핀치-오프(pinch-off) 지점

saturation regime

포화 동작 영역

electric field, 548

전계

inversion layer charge, 549, 550

반전 영역의 전하(량)

lateral electric field, 549, 550

측면 전계

local gate overdrive, 549, 550

국부적 게이트 오버드라이브(과도한 바이어스 인가)

output characteristics, 549, 551, 553

출력 특성

transfer characteristics, 551, 552, 553

전달 특성

current–voltage characteristics, PN junction diode

PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성

electrostatics under bias, 291–2

바이어스 하에서의 정전계

qualitative discussion, 292–5

정성적인 논의

quantitative models, 295–308

정량적인 논의

current–voltage characteristics, Schottky diode

쇼키(쇼트키) 다이오드의 전류-전압 특성

drift-diffusion model, 390

표동-확산(drift-diffusion) 모델

electron flow, 388, 389

전자의 흐름

electrostatics under bias, 384–7

바이어스 하에서의 정전계

majority and minority carrier, 387

다수 및 소수 캐리어 전하

thermionic emission model

열 이온성(열전자) 방출(방사) 모델

Bethe condition, 397

Bethe(베테) 조건(상태)

electron concentration, 391–3

전자 농도

electron velocity distribution, 393

전자의 속도 분포

forward bias, 390

순방향 바이어스

Hemi–Maxwellian distribution, 391, 392

헤미-맥스웰(Hemi–Maxwellian) 분포

hole quasi-Fermi level, 398

정공의 가상적(준) 페르미 레벨(준위)

net diode current, 393

내부적인 다이오드 전류

PtSi/n-Si junction, 394–6

PtSi/n-Si 접합

quasi-equilibrium approximation, 391

가상적(준) 평형상태 근사화

quasi-equilibrium assumption, 397

가상적(준) 평형상태 가정

Richardson constant, 393

리챠드슨(Richardson) 상수

saturation current, 394

포화 전류