B of Semi-Terms

back-bias effect, 483

벡-바이어스 효과 (=바디 효과)

back transconductance, 565, 579

벡(back) 전달전도성(벡 트랜스컨덕턴스)

band bending, 146, 377, 386, 453, 455

밴드 밴딩(밴드 휨)

bandgap engineering, 793

밴드갭 엔지니어링

bandgap narrowing, 71

밴드갭 네로우링(얇아짐)

  1. doping level, 825–6

도핑 레벨(농도) 대비

heavy-doping effects, 74–7

과도한 도핑으로 인한 효과

bandgap voltage reference circuits, 64

밴드갭 전압 기준 회로

band tailing, 71, 72

밴드 꼬리

band-to-band optical generation and recombination

밴드 간 광학적 생성 및 재결합

carrier generation and recombination, 84–5

캐리어 생성 및 재결합

thermal equilibrium, 89–91

열평형(열적 평형)

band-to-band thermal generation and recombination, 84, 90

밴드 간 열적 생성 및 재결합

band-to-band tunneling (BTBT), 662, 663

밴드 간 터널링 (BTBT)

base–collector depletion region, 711, 742, 770

베이스-콜렉터 공핍(디플리션) 영역

base resistance, 345, 781, 782

베이스 저항

components, 783

성분(요소)

lateral resistance, of intrinsic base, 783

측면 저항, 순수(intrinsic) 베이스

single base contact, 786

단일 베이스 접촉

two base contacts, 785

쌍 베이스 접촉

Bethe condition, 397

Bethe(베테) 조건(상태)

bipolar issues, MOSFET

양극성 이슈(문제), MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

floating-body effects, in SOI MOSFETs, 798–801

플로팅 바디(몸체) 효과, SOI MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

latch-up, 796–8

렛치-업(latch-up)

snap-back and breakdown characteristics, 801–2

스냅-벡(snap-back, 빠른 회귀) 및 붕괴 특성

bipolar junction transistor (BJT), 821

양극성 접합 트랜지스터 (BJT)

base–collector junction, 707

베이스-콜렉터 접합

base–emitter junction, 707

베이스-에미터 접합

bipolar design evolution

양극성 소자 디자인 진화

bandgap engineering, 793

밴드갭 엔지니어링

bipolar point contact transistor, 790

양극성 점 접촉 트랜지스터

dielectric isolation, 792

부도체를 이용한 격리

heterojunction bipolar transistor, 794

이종접합 양극성 트랜지스터

junction isolation, 791

접합 격리

planar bipolar transistor IC, 790

평면 양극성 트랜지스터 집적회로(IC)

polysilicon emitter, 791

폴리실리콘 에미터

scaling trajectory, 791

스케일링 방향(전략)

selectively implanted collector, 793

선택적 이온주입으로 형성된 콜렉터

self-aligned BJT designs, 792

자가 형성 BJT 디자인

emitter-stripe length, 707

에미터 영역의 길이

emitter-stripe width, 707

에미터 영역의 폭

ideal BJT

이상적인 BJT

assumptions, 710

가정

charge–voltage characteristics, 730–6

전하-전압 특성

collector–base junction area, 709

콜렉터-베이스 접합 면적

current–voltage characteristics, 711–30

전류-전압 특성

emitter–base junction area, 709

에미터-베이스 접합 면적

extrinsic region, 710

외인적(extrinsic, 비순수) 영역

intrinsic region, 710

순수(intrinsic) 영역

small-signal behavior, forward-active regime,

736–46

소신호 동작, 순방향 능동 동작 영역

MOSFET, 709

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

nonideal effects

비이상적 효과

base-width modulation, 747–55

베이스 폭 변조(변형)

breakdown voltage, 759–69

붕괴 전압

emitter-base space-charge region recombination,

755–6

에비터-베이스 공간 전하 영역에서의 재결합

high collector current effects, 769–80

과도한 콜렉터 전류로 인한 효과(현상)

impact ionization, 756–9

임펙트 이온화

nonuniform doping levels, 786–90

불균일 도핑 레벨

parasitic resistance, 780–7

기생 저항

bipolar point contact transistor, 790

양극성 점 접촉 트랜지스터

blackbody light emission spectrum, 2

흑체 발광 스펙트럼

blackbody radiation, 2, 3, 85, 89

흑체 방사

body factor, 449, 450

보디(몸체) 요소

Boltzmann constant, 10, 817

Boltzmann(볼쯔만) 상수

Boltzmann relations, 156–9, 297, 391, 476

Boltzmann(볼쯔만) 관계

bonds and bands, 19–21

결합과 밴드

bound systems, 7

고립된 시스템(계)

breakdown voltage, 244, 248

붕괴 전압

avalanche breakdown, 760–5, 767–9

아발란체 붕괴 현상

PN diode

PN 다이오드

breakdown voltage vs. doping level, 330, 331

붕괴 전압과 도핑 레벨의 상관관계

condition, 330

조건(상태)

description, 328

묘사

impact ionization coefficient, 329

임멕트 이온화 변수

reverse, 328, 329

Zener breakdown, 330

제너 붕괴 현상

punchthrough breakdown, 765–9

펀치스루에 의한 붕괴 현상

of Schottky diode, 404, 405

쇼키 다이오드

Brownian motion, 9, 133

브라운 운동