acceptor degeneracy factor, 68

억셉터(수혜자) 축퇴 요소

acceptor ionization energy, 42

억셉터 이온화 에너지

acceptor states, 42, 68, 486, 487

억셉터 상태

accumulation, MOS structure

축적, MOS(금속산화물반도체) 구조

approximations for, 512–13

근사화

carrier concentration, 456, 457

캐리어 농도

definition, 453

정의

electric field, 456, 457

전계

electrostatic potential, 456, 457

정전위

energy band diagram, 456, 457

에너지 밴드 다이어그램

sheet-charge approximation, 456

시트(sheet) 전하 근사

volume charge density, 456, 457

부피 전하 밀도 (단위 부피당 전하량)

acoustical phonons, 25

음향 포논(진동자)

activation energy, 37, 38, 64

활성화 에너지

active and passive power, 679

능동 및 수동 전력

alternating current (AC), 821

교류 전류

amphoteric behavior, 41

양성 동작(반응)

Arrhenius plot, 38, 39, 45, 394, 396

아레니우스 플롯(도표)

atomic density, 18, 19, 90, 418

원자 밀도

atomistic model, 417, 418

원자 모형(모델)

attractive scattering, 138

인력 산란

Auger generation, 85, 87, 91–2, 107

Auger(오제) 생성

Auger recombination, 85

Auger(오제) 재결합

avalanche breakdown, 404, 647

아발란체 붕괴

base–collector junction, 762

베이스-콜렉터 접합

base–emitter junction, 763

베이스-에미터 접합

common-base configuration, 761

공통-베이스 구성

common-emitter configuration, 761, 762

공통-에미터 구성

description, 243

묘사

nonideal effects, BJT, 760–5, 767–9

비이상적 효과, BJT (양극성 접합 트랜지스터)

nonlinear hybrid-π model, 762

비선형 하이브리드-파이 모형(모델)

under nonuniform electric field, 261–2

불균일 전계하에서

avalanche multiplication, 88, 178, 179

아발란체 증식