acceptor degeneracy factor, 68
억셉터(수혜자) 축퇴 요소
acceptor ionization energy, 42
억셉터 이온화 에너지
acceptor states, 42, 68, 486, 487
억셉터 상태
accumulation, MOS structure
축적, MOS(금속산화물반도체) 구조
approximations for, 512–13
근사화
carrier concentration, 456, 457
캐리어 농도
definition, 453
정의
electric field, 456, 457
전계
electrostatic potential, 456, 457
정전위
energy band diagram, 456, 457
에너지 밴드 다이어그램
sheet-charge approximation, 456
시트(sheet) 전하 근사
volume charge density, 456, 457
부피 전하 밀도 (단위 부피당 전하량)
acoustical phonons, 25
음향 포논(진동자)
activation energy, 37, 38, 64
활성화 에너지
active and passive power, 679
능동 및 수동 전력
alternating current (AC), 821
교류 전류
amphoteric behavior, 41
양성 동작(반응)
Arrhenius plot, 38, 39, 45, 394, 396
아레니우스 플롯(도표)
atomic density, 18, 19, 90, 418
원자 밀도
atomistic model, 417, 418
원자 모형(모델)
attractive scattering, 138
인력 산란
Auger generation, 85, 87, 91–2, 107
Auger(오제) 생성
Auger recombination, 85
Auger(오제) 재결합
avalanche breakdown, 404, 647
아발란체 붕괴
base–collector junction, 762
베이스-콜렉터 접합
base–emitter junction, 763
베이스-에미터 접합
common-base configuration, 761
공통-베이스 구성
common-emitter configuration, 761, 762
공통-에미터 구성
description, 243
묘사
nonideal effects, BJT, 760–5, 767–9
비이상적 효과, BJT (양극성 접합 트랜지스터)
nonlinear hybrid-π model, 762
비선형 하이브리드-파이 모형(모델)
under nonuniform electric field, 261–2
불균일 전계하에서
avalanche multiplication, 88, 178, 179
아발란체 증식